<a href="https://incheon.chaemuclean.com/" target="_blank" class="seo-link good-link" rel="noopener">인천개인회생</a> 업계 관계자는 “삼성이 HBM3E(5세대 HBM)에서의 부진을 만회하기 위해 최첨단 공정 도입이라는 ‘공격적 베팅’에 나선 결과, 성능 상한선을 뚫어내는 데 성공했다”면서 “특히 TSMC-SK하이닉스 연합과 달리 공정 리드타임을 단축하고 단일 공정 내 최적화를 이뤄낸 삼성의 ‘통합 공급망’이 AI 반도체 커스터마이징 시대의 강력한 무기가 될 것으로 보인다”말했다.

삼성전자가 엔비디아에 출하를 개시한 만큼 관건은 수율 제고를 통한 수익성 확보라는 분석이 나온다. 1b D램 공정은 이를 적용한 범용 D램과 HBM3E가 그동안 시장에 출하되면서 기술이 상당 부분 성숙됐지만, 1c D램은 삼성전자의 HBM4를 통해 사실상 처음으로 상용화되는 만큼 일각에서는 저조한 수율로 수익성을 확보하는데 난항을 겪을 것이란 분석이 제기된 바 있다. HBM4는 12개의 D램이 적층되는 만큼 D램 수율이 90%를 밑돌 경우 수율이 급격히 떨어지면서 수익성이 악화될 수밖에 없는 구조다.

반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 엔비디아 공급망에 진입하는 것을 최우선 목표로 성능에서 우위를 점하기 위해 첨단 공정을 적용했다”며 “제품 성능에서 우위를 점하더라도 공정이 안정화되지 않을 경우 저조한 수율로 수익성이 악화될 수 있다는 점은 리스크”라고 했다.
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